分标编号

产品名称

数量

简要技术规格

备注

1495-234thhrlab02/01

少子寿命测试仪

1台

少子寿命测试仪是一种半导体材料检测设备，具体规格如下：

1）少子寿命测试仪1台，用于硅衬底及外延片少子寿命分布的非接触检测；

2）测试样品尺寸兼容4、6、8英寸，最大样品厚度大于等于2mm；

3）采用波长处于850~1000nm范围内的激光光源进行扫描检测；

4）少子寿命测量范围包含100ns~10ms，测量静态重复性小于等于3%。

注：1）详细技术参数见招标文件第二册第八章《货物需求一览表及技术规格》。2）*本项目投标人须以标包为单位进行投标。

1495-234thhrlab02/02

硅片厚度翘曲度测试仪设备

1台

硅片厚度翘曲度测试仪是一种半导体芯片过程检测设备，具体规格如下：

1）硅片厚度翘曲度测试仪1台，用于检测半导体晶圆厚度以及在薄膜工艺前后的翘曲变化，要求晶圆厚度检测范围大于等于500~1600nm；

注：1）详细技术参数见招标文件第二册第八章《货物需求一览表及技术规格》。2）*本项目投标人须以标包为单位进行投标。

1495-234thhrlab02/03

聚焦离子束电子束双束显微镜

1台

聚焦离子束电子束双束显微镜（FIB-SEM）是一种半导体检测设备，具体规格如下：

1）用于晶圆上各项工艺后的形貌观察及纳米级检测（SEM），电子束束流满足Min.小于等于1pA；

2）用于实现对样品进行离子束切割加工功能（FIB），离子束束流满足Min.小于等于1pA；

3）用于实现三维形貌观察分析；

4）用于实现电路修复；

5）用于实现EDS及EBIC功能；

6）适用于6英寸及以下晶圆。

注：1）详细技术参数见招标文件第二册第八章《货物需求一览表及技术规格》。2）*本项目投标人须以标包为单位进行投标。

1495-234thhrlab02/04

深沟槽喷胶机设备

1台

深沟槽喷胶机是一种用于光刻胶喷覆工艺的半导体设备，数量1台，具体要求如下：

1）可实现6英吋硅晶圆喷雾涂胶和旋转涂胶两种功能，其中喷雾涂胶均匀性不超过10%；

2）针对台阶形貌复杂的晶圆，可实现表面、侧壁、沟槽等区域均匀覆盖光刻胶；

3）适用胶的粘性最高可达300cp，涂胶厚度可达20微米。

注：1）详细技术参数见招标文件第二册第八章《货物需求一览表及技术规格》。2）*本项目投标人须以标包为单位进行投标。

1495-234thhrlab02/05

ICP金属刻蚀机

1台

ICP金属刻蚀机，是一种半导体芯片加工设备，具体规格如下：

1）ICP金属刻蚀机1台，兼容6英寸晶圆，晶圆厚度500微米~1800微米；

2）用于铝、钛、镍、银等金属的刻蚀；

3）刻蚀厚度10微米以上，不均匀性小于等于5%。

注：1）详细技术参数见招标文件第二册第八章《货物需求一览表及技术规格》。2）*本项目投标人须以标包为单位进行投标。

1495-234thhrlab02/06

离子注入机设备

2台

离子注入机是一种通过离子束轰击实现对晶片掺杂的半导体工艺设备，具体规格如下：

1）适用于6英寸硅晶圆，厚度500~1800微米，平边17.5±2mm；

2）注入元素含铝Al、硼B、磷P；

3）注入能量10~300keV，能量偏差＜±1keV；

4）注入束流至少覆盖0.5mA~1.8mA范围；

5）注入剂量1E13~1E16cm-2；

6）注入均匀性＜±1%。

注：1）详细技术参数见招标文件第二册第八章《货物需求一览表及技术规格》。2）*本项目投标人须以标包为单位进行投标。

1495-234thhrlab02/07

电容深能级瞬态谱仪设备

1台

电容深能级瞬态谱仪是一种半导体芯片过程检测设备，具体规格如下：

1）电容深能级瞬态谱仪1台，用于半导体晶圆在工艺过程中缺陷能级检测，杂质灵敏度优于1E9 cm^-3；

注：1）详细技术参数见招标文件第二册第八章《货物需求一览表及技术规格》。2）*本项目投标人须以标包为单位进行投标。

1495-234thhrlab02/08

研磨减薄机设备

1台

研磨减薄机是一种通过磨轮机械打磨的方式减薄晶片的半导体工艺设备，具体规格如下：

1）适用于6英寸硅晶圆；

2）去除厚度范围5微米~1500微米；

3）目标厚度与实际厚度偏差±1微米；

4）片内总厚度差小于1.5微米；

5）片间总厚度差小于等于±2微米。

注：1）详细技术参数见招标文件第二册第八章《货物需求一览表及技术规格》。2）*本项目投标人须以标包为单位进行投标。

1495-234thhrlab02/09

单晶硅外延炉

1台

单晶硅外延炉是一种半导体芯片加工设备，具体规格如下：

1）单晶外延炉1台，晶圆尺寸兼容6英寸，晶圆厚度500微米~1800微米；

2）用于在硅片表面生长p型掺杂单晶硅层，厚度5~100微米；

3）外延层电阻率不均匀性小于等于3%，本征外延层电阻率大于等于800Ω·cm。

注：1）详细技术参数见招标文件第二册第八章《货物需求一览表及技术规格》。2）*本项目投标人须以标包为单位进行投标。

1495-234thhrlab02/10

DLC钝化膜镀膜机

1台

DLC钝化镀膜机是一种半导体芯片加工设备，数量1台，具体规格如下：

1）可用于在硅片表面沉积50nm~300nm厚度DLC薄膜；

2）可用于在硅片表面沉积DLC薄膜，薄膜片内均匀性小于等于5%;

3）可用于在硅片表面沉积DLC薄膜，薄膜击穿场强大于等于100MV/cm(@120nm)。

注：1）详细技术参数见招标文件第二册第八章《货物需求一览表及技术规格》。2）*本项目投标人须以标包为单位进行投标。

1495-234thhrlab02/11

LPCVD设备

1台

LPCVD设备是一种半导体芯片加工设备，数量1台，包含4根炉管，具体规格如下：

1）在硅片表面沉积多晶硅(poly),厚度500nm~1000nm；

2）在硅片表面沉积氧化硅（TEOS），厚度100nm~2000nm；

3）在硅片表面沉积氮化硅（Si3N4），厚度50nm~500nm；

4）在硅片表面沉积氧化硅（LTO），厚度50nm~1000nm；

注：1）详细技术参数见招标文件第二册第八章《货物需求一览表及技术规格》。2）*本项目投标人须以标包为单位进行投标。

1495-234thhrlab02/12

扩展电阻测试仪设备

1台

扩展电阻测试仪是一种半导体芯片过程检测设备，具体规格如下：

1）扩展电阻测试仪1台，用于检测半导体晶圆在掺杂后的有效掺杂浓度分布和电阻率变化，载流子浓度测试范围：1E11~1E21 cm^-3；

注：1）详细技术参数见招标文件第二册第八章《货物需求一览表及技术规格》。2）*本项目投标人须以标包为单位进行投标。

1495-234thhrlab02/13

原子力显微镜设备

1台

原子力显微镜是一种半导体芯片过程检测设备，具体规格如下：

1）原子力显微镜1台，用于测量硅片表面和外延后表面的粗糙度，要求Z向噪声水平小于0.03nm；

注：1）详细技术参数见招标文件第二册第八章《货物需求一览表及技术规格》。2）*本项目投标人须以标包为单位进行投标。